中微發(fā)布第一代電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo nanova?
近日,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司(以下簡稱“中微”)在本周舉辦的SEMICON China期間正式發(fā)布了第一代電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo nanova?,用于大批量生產(chǎn)存儲芯片和邏輯芯片的前道工序。該設(shè)備采用了中微具有自主知識產(chǎn)權(quán)的電感耦合等離子體刻蝕技術(shù)和許多創(chuàng)新的功能,以幫助客戶達到芯片制造工藝的關(guān)鍵指標,例如關(guān)鍵尺寸(CD)刻蝕的精準度、均勻性和重復(fù)性等。