如何提高深紫外LED空穴注入效率
以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、電子飽和漂移速度快和抗輻射能力強等優(yōu)點,在固態(tài)照明、電子電力和移動通信等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。其中,固態(tài)照明對于改善當(dāng)今全球變暖以及生態(tài)環(huán)境惡化具有重要的意義。除了節(jié)能環(huán)保,以深紫外發(fā)光二極管(DUV LED)為代表的紫外LED憑借其光子能量大的特點在殺菌消毒等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。紫外LED根據(jù)發(fā)光波長可細(xì)分為:UVA LED(320 nm